미 상무부, 반도체·에너지 소재 R&D에 3억 9천만 달러 지원

미국 반도체다이제스트(Semiconductor Digest)에 따르면 미국 상무부 산하 CHIPS 연구개발(R&D) 오피스는 2026년 10월 기준 반도체 및 에너지 인프라에 핵심적인 소재 R&D를 위해 4개 기업에 총 3억 8900만 달러(약 5300억 원) 규모의 지원 의향서(LOI)를 발표했다.

이번 지원은 CHIPS 및 과학법(CHIPS and Science Act)의 R&D 인센티브 프로그램 일환으로, 미국 내 반도체 소재 및 에너지 데이터센터용 소재의 국내 연구·생산 역량 강화를 목표로 한다. 상무부는 이번 지원이 미국 에너지 인프라와 데이터센터에 핵심적인 소재 R&D를 가속화할 것이라고 밝혔다.

지원 대상 소재 분야는 반도체 공정 소재와 전력 인프라용 고성능 소재를 포함한다. 구체적 수혜 기업명과 품목별 배분액은 최종 계약 체결 후 공개될 예정이나, AI 가속기 전력 공급망과 연계된 소재 기술이 우선 순위에 포함된 것으로 전해진다.

이번 조치는 미국이 반도체 장비·소재 분야에서 중국 등 특정 국가 의존도를 낮추고 자국 공급망을 강화하려는 전략의 연속선상에 있다. 지난해부터 이어진 CHIPS법 팹 건설 지원에 이어, 소재·R&D 인프라로 지원 범위가 확장되는 흐름이다.

국내 소부장 업계에 미치는 영향도 주목할 필요가 있다. 미국이 자국 소재 R&D 역량을 강화할수록 글로벌 소재 공급망 재편 속도가 빨라지고, 한국 소재 기업들도 미국 팹 공급망 진입을 위한 기술 인증·현지화 전략을 서둘러야 한다는 과제가 부각된다.

오산시, 용인 통삼2산단 등 국내에서도 AI·반도체 소부장 클러스터 구축이 속도를 내고 있다. 경기신문·서울경제TV에 따르면 오산시는 AI·반도체 소부장 자족도시 도약을 목표로 기업 유치와 인프라 구축에 적극 나서고 있으며, 용인 통삼2 산단은 반도체 소부장 기업 집적화를 위한 행정 승인 절차를 마쳤다.

글로벌 시각에서 보면 미국의 CHIPS R&D 투자 확대는 소재 기술 패권 경쟁의 또 다른 전선을 형성한다. 유럽연합(EU)도 12월 공급망 다각화법 도입을 확정한 상황으로, 미국·EU 양측의 소재 R&D 투자가 맞물리며 글로벌 소재 기술 경쟁이 심화되고 있다.

AI 반도체 수요 폭증에 따라 데이터센터 전력 소재 시장도 급성장하고 있다. GaN(질화갈륨) 전력 소자, SiC(탄화규소) 모듈, 기판 내장 커패시터 등 첨단 전력 소재 수요가 빠르게 늘고 있으며, 이번 미국 정부 지원이 해당 분야 기술 개발을 앞당길 것으로 기대된다.

국내 소부장 기업들은 미국 R&D 프로그램 참여 또는 미국 내 합작·기술 협력 방식으로 공급망에 편입하는 전략을 검토할 필요가 있다. 어플라이드 머티리얼즈가 실리콘밸리에 50억 달러 규모 EPIC 센터를 개소한 사례처럼, 미국 중심의 소재 R&D 허브가 빠르게 형성되는 추세다.

부산일보(비즈앤피플)는 AI 반도체 무한경쟁 시대에 소부장 산업이 시험대에 올랐다고 진단했다. 기술 고도화 속도를 따라가지 못하는 소부장 기업은 공급망에서 이탈할 수 있다는 경고도 나오고 있어, 선제적 R&D 투자와 정부 지원 활용이 중요해졌다.

향후 미국 CHIPS R&D 프로그램의 소재 지원 규모는 더욱 확대될 전망이다. 에너지 인프라와 AI 데이터센터의 전력 소재 수요가 장기적으로 증가하는 구조적 흐름 속에서, 글로벌 소재 기업 간 기술력 격차가 공급망 편입 여부를 가르는 핵심 요소가 될 것으로 분석된다.